型式:H9HCNNN8KUMLHR-NME

Model:H9HCNNN8KUMLHR-NME
Manufacturer:SK Hynix
Stocks:8000
Describe:

H9HCNNN8KUMLHR-NMEは、SKハイリースが開発した8Gbit(1GB)LPDDR4 SDRAM低消費電力メモリチップで、200-FBGA(10x15mm)パッケージを採用しています。このチップはモバイルデバイスおよび組み込みシステム向けに設計されており、高帯域幅と低消費電力が特徴です。
 
主な仕様は、容量8Gb、アーキテクチャ512M×16、最大データ転送速度3733 Mbps、動作電圧1.1V(コア)および1.8V(I/O)です。
 
本チップは、自動プリチャージング、ZQキャリブレーション、非同期リセット、書き込み均衡などの複数の低消費電力モードや高度機能をサポートしており、ダブルチャンネルおよびダブルシールド(2CS)構成も可能です。動作温度範囲は-25°Cから+85°Cまでです。
Features :

• 容量:8Gbit(1GB)、構成:512M × 16  
• インターフェース規格:LPDDR4 SDRAM  
• データレート:最大3733 Mbps  
• クロック周波数:最大3.733 GHz  
• 動作電圧:コア1.06V~1.17V(1.1Vが標準)、I/O 1.7V~1.95V(1.8Vが標準)  
• 低消費電力:動作電流(典型的な値)23mA、セルリフレッシュ電流370µA  
• 高度機能:自動プリチャージング、ZQ較正、非同期リセット、書き込み均衡、自動セルリフレッシュをサポート  
• パッケージタイプ:BGA-200(10mm × 15mm)  
• 動作温度:-25°C~+85°C  
• MSL等級:Level-3(168時間)  
• 環境規制適合性:RoHS規格に準拠
Application:

• モバイル端末:スマートフォン、タブレット端末  
• 組み込みシステム:産業用制御装置、エッジコンピューティング機器  
• 高性能コンピューティング:AIアクセラレータ、画像処理ユニット  
• 自動車電子:車載情報エンターテインメントシステム(IVI)