型式:IS61WV25616BLL-10TLI
Model:IS61WV25616BLL-10TLI
Manufacturer：ISSI
Stocks：2000
Describe：
IS61WV25616BLL-10TLI は、ISSIが開開発した4Mビットの非同期静的ランダムアクセスメモリ（SRAM）で、44ピンTSOP-II表面実装パッケージを採用しています。このデバイスは256K×16ビット構成であり、10ナノ秒の高速アクセス時間と低消費電力特性を備え、性能と消費電力のの両方を重視する組み込みアプリケーションに適しています。
主な仕様：記憶容量4Mbit、アクセス時間10ns。動作電電圧範範囲2.4V～3.6V（典型的なな値は3.3V）。動作電流45mA。並列列インターフェースを採用し、TTLレベルに対に対応。産業用温度範範囲をサポートしており、-40°Cから+85°Cまでまで対対応。MSL等級はLevel-3（168時間）。
Features ：
• メモリタイプ：非同期SRAM
• 容量：4Mビット（256K × 16ビット）
• アクセス時間：10ns
• インターフェース：並列（Parallel）
• 動作電圧：2.4V～3.6V
• 動作電流：45mA（最大値）
• パッケージタイプ：44-TSOP II
• ピン間隔：0.8mm
• 作動温度：産業用 -40°C ～ +85°C
• MSLレベル：レベル3（168時間）
• 環境保護・コンプライアンス：RoHS規格に準拠、鉛フリー（Pb-Free）
Application：
• 産業制御：PLC、工場自動化設備のデータバッファ
• 組み込みシステム：MCU/MPUの外部高速データキャッシュ
• 通信機器：ルーターおよびスイッチのパケットバッファの保存
• テストと測定：データ収集システムの一時的な記憶
• CPUキャッシュ：プロセッサの二次メモリとして機能する
