型式:H9JCNNNBK3MLYR-N6E
Model:H9JCNNNBK3MLYR-N6E
Manufacturer：Samsung
Stocks：203
Describe：h9jcnnnbk3mlyr-n6eは、Samsung(サムスン)ブランドのNAND Flashメモリチップで、UFS 3.1の高速フラッシュメモリです。V6の176層3Dスタック技術を採用し、1つの容量は256GB~1TB、連続読み書き速度は最大2100MB/sです。フラッグシップスマートフォンやタブレット向けに設計されています。
