型式:IRLML6402TRPBF
Model:IRLML6402TRPBF
Manufacturer：NXP
Stocks：8000
Describe：
IRLML6402TRPBFは、Pチャネルの論理レベル型強化型パワーモスファト（MOSFET）で、SOT-23（Micro3™）超小型表面実装封止を採用しています。このデバイスは先進的な製造技術により、極めて小さいシリコンウェハー面積で極低のオン抵抗を実現しており、バッテリー駆動装置における高効率な電源管理および負荷スイッチング用途に特化して設計されています。
Features ：
• トランジスタのタイプ：Pチャネル増強型MOSFET
• ドレイン・ソース電圧（VDS）：-20V
• 連続漏れ電流（ID）：-3.7A（Ta=25°C）
• オン抵抗（RDS(on)）：65mΩ（最大値 @ VGS=-4.5V, ID=-3.7A）
• ゲート閾値電圧（VGS(th)）：最大 -1.2V @ -250µA
• ゲート電荷（Qg）：典型的な値 8nC @ VGS=-5V
• 入力容量（Ciss）：典型的な値 633pF @ VDS=-10V
• 消費電力（Pd）：1.3W（Ta=25°C）
• 動作温度：接合部温度 -55°C～+150°C
• パッケージタイプ：SOT-23（Micro3™）、3ピン、表面実装
• MSLレベル：Level-1（制限なし）
• 環境規制適合性：RoHS3規格準拠、無鉛、無ハロゲン
Application：
• バッテリー駆動装置と負荷管理：バッテリー保護、負荷スイッチングおよび電源配分
• DC-DCコンバータ：低電圧電源の変換と電圧安定化
• 携帯型電子機器：超薄型デバイス、PCMCIAカードなどスペース制約のある用途
• 汎用スイッチング回路：信号レベル変換、電子負荷制御
