型式:MMBFJ110
Model:MMBFJ110
Manufacturer：onsemi
Stocks：8000
Describe：
MMBFJ110はonsemiが開発したNチャネル結構型電界効果トランジスタ（JFET）で、SOT-23-3マイクロ表面実装パッケージを採用しています。このデバイスは、極めて低い導通抵抗が必要なアナログまたはデジタルスイッチング用途に特化して設計されています。
主な仕様は以下の通りです：ゲート・ソース破壊電圧 -25V、ゼロゲート電圧時のドレイン漏れ電流（Idss）10mA @ 15V、ゲート・ソース遮断電圧（VGS(off)）-4V @ 10nA、導通抵抗（RDS(on)）18Ω、最大消費電力460mWです。
動作温度は最高150°C（TJ）、MSLレベルはLevel-1（制限なし）です。
Features ：
• 製品タイプ：Nチャネル結構造の場効果トランジスタ（JFET）
• ゲート-ソース破壊電圧（V(BR)GSS）：25V
• ゼロゲート電圧時のドレイン漏れ電流（Idss）：10mA @ 15V
• ゲート-ソース遮断電圧（VGS(off)）：4V @ 10nA
• オン抵抗（RDS(on)）：18Ω
• 最大消費電力（Pd）：460mW
• 動作結温（TJ）：最高150°C
• コンパクトパッケージ：SOT-23-3（TO-236-3）、表面実装
• MSLレベル：Level-1（制限なし、260°Cリフローはめ）
• 環境規制適合：RoHS3規格準拠、無鉛（Pb-Free）
Application：
• 低抵抗アナログ／デジタルスイッチング応用
